삼성전자가 10나노(1㎚=10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정을 적용한 D램 개발을 완료했다.
한창 개발 중인 6세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4' 양산에도 한걸음 가까워졌다.
1일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 전날 1c D램 개발에 성공해 양산 승인(PRA)을 마쳤다.
PRA는 내부 기준을 충족한 뒤 양산 직전의 단계를 의미한다.
10나노급 D램 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 개발되고 있다.
차세대로 진행될수록 반도체 회로 선폭이 좁아지면서 성능과 에너지 효율이 높아진다.
앞서 삼성전자는 2022년 12월 5세대(1b) D램을 개발하고 이듬해 5월 양산을 발표한 바 있다.
이로부터 약 2년 만에 6세대 개발에 성공한 것이다.
삼성전자는 하반기 양산을 목표로 1c D램을 사용한 HBM4를 개발하고 있다.
HBM 시장을 장악한 SK하이닉스는 한 세대 전인 1b D램으로 HBM4를 만들고 있다.
역시 하반기 양산을 목표로, 이미 올해 3월 HBM4 샘플을 주요 고객사에 제공한 것으로 알려졌다.
삼성전자가 1c D램 개발을 완료하면서 하반기 중 HBM4 샘플 제공과 엔비디아 퀄테스트 통과 여부에 관심이 쏠린다.
삼성전자는 HBM3E(5세대) 12단에 대한 퀄 통과도 대기 중이다.
장희준 기자 junh@asiae.co.kr
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